郝跃，中国科学院院士，微电子学专家。2014年加入36524总部电话_365bet网上娱乐场_约彩365官旧版本网客户端下载。现任西安电子科技大学副校长、教授、博士生导师，1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业。1990年在西安交通大学计算数学专业获博士学位；国际IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长，总装备部微电子技术专家组组长，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。国家重大基础研究计划（973计划）项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的着名专家，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表。曾获国家技术发明奖二等奖1项，国家科技进步二、三等奖各1项。

科研概述

长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的着名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。

研究方向

郝跃教授主要从事理论和基础性研究，研究方向为集成电路可靠性设计与统计最优化理论和方法，IC制造动力学理论和方法的研究，以及可靠设计技术和方法学研究。在该领域研究中，取得了创造性成果，提出了利用分形描述硅片缺陷的空间分布和粒径分布的理论，实现了集成电路功能成品率表征与最优化设计系统。在该方向他先后承担国家科技攻关、军事电子预研、863高科技项目和各类基金项目七项。先后在国内外重要学术刊物和会议上发表论文80余篇，出版专(合)着五部，获得国家科技进步奖1项，省部级科技进步奖4项。近几年，他先后被评为电子工业部有突出贡献专家、全国电子工业系统先进工作者、陕西省“十大杰出科技青年”和“新长征突击手”，入选国家教委“跨世纪优秀人才”计划。

主要研究领域包括宽禁带半导体技术，深亚微米及超深亚微米器件物理，集成电路可制造性和可靠性理论与方法等。先后主持了多项国家科技攻关、863高科技项目、973计划项目、国家自然科学基金等项目，取得了突出成就。研究成果获国家八五重大科技成果奖一项，国家技术发明二等奖一项，国家科技进步二、三等奖各一项；电子工业部科技进步一等奖一项；省部级科技进步一等奖一项，二等奖三项，三等奖四项；光华科技二等奖一项。并获得了2010年度“何梁何利基金科学与技术进步奖”，于2005年和2011年两次当选“科学中国人”年度人物。在国内外着名刊物和重要国际会议上发表论文200余篇，其中SCI 180余篇，被他引600余次（截止2013年5月），专着3本，国家发明专利7项。

科研成果

主持的科研成果获得国家发明奖二等奖一项，国家科技进步二、三等奖各一项；省部级科技成果一、二等奖十余项；获得国家发明专利授权二十余项。

论着

出版了“氮化物宽禁带半导体材料与电子器件”、“微纳米MOS器件可靠性与失效机理”、“碳化硅宽带隙半导体技术”、“集成电路制造动力学理论与方法”等多本着作，在国内外着名期刊上发表学术论文300余篇，有200余篇被SCI收录。